技术编号：6929482
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子，具体涉及铁电溶液及其薄膜电容制备的方法。 背景技术锆钛酸铅铁电薄膜(PZT)由于在非挥发存储器(FERAM)、场效应晶体管、热电探测 器和微机械系统(MEMS)上的优良特性，成为目前科学与研究热点。特别是在铁电 存储器方面上的应用。当前随着便携式电子设备的逐步普及，不挥发存储器的市场也越来 越大，据调查，目前Flash占不挥发存储器市场的90%。但随着半导体技术的进步，Flash 遇到了越来越多的技术瓶颈，隧穿氧化层不能随着集成电路工艺的...
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