技术编号：6929518
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种只读存储器(Read Only Memory，ROM)的制造方法，且特别是有关于一种自行对准编码的罩幕式只读存储器(Mask ROM)的制造方法。一般罩幕式只读存储器的结构将复晶硅字线(Word Line，WL)横跨于位线(Bit Line，BL)之上，而位于字线下方以及位线之间的区域则作为存储单元的通道区。对部分制作工艺而言，只读存储器即以通道中离子植入与否，来储存二阶式位数据“0”或“1”。其中，植入离子到指定的通道区域的制作工艺又称...
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