技术编号:6929556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种功率MOS晶体管的制造方法。背景技术传统的MOS晶体管,其栅极、源极和漏极在同一水平面上(即水平沟道), 此种结构在制造时非常方便,但因源极和漏极之间距离太近而无法满足大功率 晶体管的需求,为了满足大功率晶体管的需求,20世纪70年代末出现了具有垂 直沟槽的MOS晶体管即功率MOS晶体管,其不仅继承了水平沟道MOS晶体 管输入阻抗高、驱动电流小等优点,还具有耐压高、工作电流大、输出功率高、 开关速度快等优点。如今功率MOS...
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