技术编号：6929565
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作，特别涉及一种MOS晶体管袋形注入区的离子注 入方法及MOS晶体管的制作方法。背景技术在半导体器件向高密度和小尺寸发展的过程中，金属-氧化物_半导体(MOS)晶 体管是主要的驱动力。而驱动电流和热载流子注入是MOS晶体管设计中最为重要的两个参 数。传统设计通过控制栅氧化层、沟道区域、阱区域、源/漏延伸区的掺杂形状、袋形注入 (pocket implant)区以及源/漏极注入形状和热预算等等来获得预料的性能。随着集成电路规模的不断增大和I...
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