技术编号:6929569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有沟槽式接触孔的沟槽式MOSFET及其制备方法。 背景技术沟槽式功率 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管)是新一代的功率半导体器件,其具有开关速度快,输入 阻抗高,负的温度系数,与 VDMOS (vertical conductiondoublescattering metal oxide semiconductor垂直导电双扩散场...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。