技术编号:6929600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明专利涉及一种半导体器件及制造方法,特别涉及一种可扩展的超大尺寸发 光二极管芯片及制造方法。背景技术近几年来,半导体照明逐渐被提上日程,许多国家和地区已经开始了一定范围的 应用和推广,氮化镓基发光二极管加上荧光粉混合产生白光的技术已经成了当前半导体照 明的主流趋势。氮化镓基发光二极管在过去几年里,各方面都取得了很大的进步。IW的 大功率发光二极管的光效不断得到提升,商业化的IW大功率发光二极管模块已经超过了 1001m/ff的流明效率,实验室的最好水平...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。