技术编号：6929603
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及。 背景技术随着半导体器件尺寸的不断减小，对刻蚀工艺也提出了越来越高的要求。 为了获得较佳的边缘^^廓，目前业界普遍采用干法刻蚀，所述干法刻蚀包括等 离子体刻蚀、离子束刻蚀和反应离子刻蚀。一般来说，使用传统的干法刻蚀机台的刻蚀过程通常包括如下步骤首先， 将具有多个薄膜层的晶圆传送至刻蚀机台的校准腔内，所述校准腔可旋转晶圓， 随机校准晶圆后，将所述晶圆传送至刻蚀腔内，在刻蚀腔内连续进行所述多个 薄膜层的刻蚀反应。然而，受...
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