技术编号:6929604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种晶圆表面排气方法。 背景技术在半导体制造工艺中,通过淀积工艺形成各金属层和绝缘介质层。在沉淀工艺前, 由于晶圆曝露于大气环境中,晶圆表面不可避免会吸附水汽,并且晶圆上还残留着上一道 工序的反应气体以及其他有机杂质如碳氢化合物。这些晶圆表面吸附的杂质将损害淀积薄 膜的特性,因此,晶圆表面吸附的这些水汽、气体及其他有机杂质必须被去除掉,以保证晶 圆无污染地进入下一工艺程序。美国专利US6263587公开的去除晶圆表面凝结气...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。