技术编号:6929701
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。 背景技术随着电子设备的广泛应用,半导体的制造工艺得到了飞速的发展,在半导体的制 造流程中,涉及钨互连工艺,钨互连工艺的目的是与有源区形成金属接触。图1 图6为现 有技术中的过程剖面结构图,该方法包括以下步骤步骤一,参见图1,有源区101形成。有源区101形成的具体方法为首先在衬底102上形成N阱103和P阱104,然后利 用沉积、光刻、蚀刻、离子注入等工艺形成多晶硅栅结构,多晶硅栅结构包括多晶硅栅105、 侧壁层1...
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