技术编号:6929735
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造,特别涉及一种在晶圆上构造铜金属线 的方法和铜的CMP方法。背景技术在半导体集成电路工业中,铜越来越多地替代铝作为半导体晶圆中的导电器件或 连接衬垫,这是由于相对于铝,铜具有更低的电阻抗以及更高的电子迁移率,能满足高频、 高集成度、大功率、大容量、使用寿命长的要求。然而,目前还没有一种成熟的铜的蚀刻工 艺,目前常采用如图1所示工艺流程在晶圆上构造铜金属线,包括如下步骤步骤101 在晶 圆表面沉积层间介质(Inner Level ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。