技术编号:6929736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元器件的制造技术,尤其是指一种。背景技术随着半导体制造工艺的不断完善,半导体元器件的特征尺寸(CD)也变得越来越 小。然而,当半导体元器件中的沟道长度缩短到可与源极和漏极的耗尽层宽度之和相比拟 时,沟道边缘(如源极、漏极以及绝缘区边缘)所造成的扰动将变得更为显著,半导体器件 的性能也将因此而偏离原有的长沟道特性(也即沟道长度远大于源极和漏极的耗尽层宽 度之和时的特性)。例如,在短沟道条件中,阈值电压(即栅极的开启电压)会随漏极电 压的增加而...
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