技术编号:6929737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路加工,特别涉及一种抑制具有浅沟道隔离槽 (Shallow Trench Isolation, STI)结构的硅片缺陷的方法及在硅片上构造STI的方法。背景技术在半导体集成电路制造过程中,常常需要在硅片上通过蚀刻的方式生成浅沟道隔 离槽(Shallow Trench Isolation, STI)结构。如图1所示,硅基底101由单晶硅构成,单 晶硅又称作活动区域(Active Area, AA)。硅基底101的上表面中央的凹陷部分为蚀...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。