技术编号:6929741
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺,尤其涉及一种光刻刻蚀制作工艺。 背景技术在众多半导体工艺中,刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一,刻蚀分为湿法 刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀在半导体工艺中得到广泛应用,从将硅锭切成半导体硅片开始, 化学腐蚀剂就被用来研磨和抛光,以获得光学级的平整和无损的表面,在热氧化和外延生 长之前,要对半导体硅片进行化学清洗以除去操作和贮存过程带来的污染。湿法刻蚀特别 适用于多晶硅、氧化物、氮化物和金属的表面刻蚀,在当前半导体工艺中,湿法刻蚀的一个...
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