技术编号：6929752
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储技术，尤其是相变存储技术。 背景技术相变材料结构状态的改变将伴随着电阻的变化，所述电阻可以在很大范围内发生 变化，其变化幅度可以达到多个数量级。基于上述原理，现有技术中存在采用相变材料制成 的相变存储器。相变存储器在工作时，通过从外部施加条件，使相变材料在不同的结构状态 之间进行可逆转换，导致相变材料导电性能发生相应的改变，从而实现数据的读写操作。例 如，当相变材料处于结晶状态时，其表现为电导体，电阻较低，此时相变存储器赋值为“0” ；...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。