技术编号：6929756
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作，特别涉及一种。 背景技术通常，半导体制程是用淀积工艺、光刻工艺、刻蚀工艺等在硅晶片上形成集成电路 的器件。为了连接各个部件构成集成电路，通常使用具有相对高导电率的金属材料例如铜 进行布线，也就是金属布线。用于将半导体器件间电路连接起来的结构一般为金属布线沟 槽结构，例如申请号为CN98118290的中国专利申请文件所提供的形成金属布线结构中沟 槽插塞的方法。在半导体器件的后段制作过程中，进行金属布线工艺前的刻蚀工艺如图1至图4 所示。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。