技术编号：6929791
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请基于在日本提交的编号为H11-299679的申请，其内容在此作为参考。本发明涉及一种适用于非易失性存储器的隧道晶体管。在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中，在半导体基片上淀积一层薄的氧化绝缘膜，在该绝缘膜上设置栅极，其作为晶体管的操作是基于这样的原理，即流经位于栅极下面的源极和漏极之间的一个半导体沟道的电流受到施加给栅极的一个电压(“栅电压”)的调制。然而，由于晶体管的小型化，当沟道的长度接近10nm时，变会引起称为“短沟道效应”的问题，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。