技术编号:6929844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造工艺,特别涉及一种提高沟槽宽度均勻性的方法。 背景技术目前,在半导体器件的后段(back-end-of-line,BE0L)工艺中,可根据不同需要 在半导体衬底上生长多层金属互连层,每层金属互连层包括金属互连线和绝缘层,这就需 要对上述绝缘层制造沟槽(trench)和连接孔,然后在上述沟槽和连接孔内沉积金属,沉积 的金属即为金属互连线,一般选用铜作为金属互连线材料。绝缘层可根据制程的需要进行 具体设置。例如包括在半导体衬底上依次形成...
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