技术编号：6929872
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种双极晶体管、双极晶体管的形成方法 和驱动双极晶体管的方法以及包含双极晶体管的虚拟接地电路和二倍硅带隙电压电路。背景技术双极晶体管有两种基本结构PNP型和NPN型，由两个背靠背的PN结组成。在这 三层半导体中，中间一层叫基区(b)，左右两层分别叫发射区(e)和集电区(C)。发射区和 基区间形成发射结，集电区和基区间形成集电结。双极晶体管的结构和制造方法的研究由来已久，常见的双极晶体管的结构和制造 方法可以参考中国专利申请第911...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。