技术编号：6930013
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及一种包含有埋层图形的外延工艺中零 标的形成方法。背景技术埋层通常用在外延工艺中以降低接触电阻，零标是首次在硅片上形成的图形，用 于下次光刻对准。对于有埋层图形的外延工艺中，零标的形成通常在埋层图形形成之前的。 一个具体的例子可参见图Ia至图Ie 氧化硅衬底在其表面形成垫层氧化层，在硅衬底1上 通过光刻工艺用光刻胶定义出零标图形，后利用光刻胶2为掩膜刻蚀硅衬底形成零标6，之 后将光刻胶2去除；接着采用另一光刻工艺在硅衬底1上用光刻胶定...
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