技术编号:6930016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅外延方法,特别涉及一种用于填充高深宽比沟槽的硅外延方法。背景技术超结结构的M0SFET器件的结构如图1所示,在硅衬底10上的外延层12内有沟槽 型的具有相反导电类型填充的外延沟道11,该导电型区域延生至外延层12上并在其内制 备有与外延层12具有相同导电类型的阱区13,阱区13上设有多晶硅,而在两个外延沟道上 方设有氧化硅层14及位于氧化硅层上的多晶硅16。一种常规的制造工艺(见图2)是首 先在衬底硅片1上生长一层外延层2,然后再在合适的位...
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