技术编号：6930062

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本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是涉及一种SONOS器件的制造工艺。 背景技术SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅，Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 闪存是一种非易失性存储器，其是通过0N0(氧化物-氮化物-氧化物，Oxi de-Nitride-Oxide)层中的氮化硅(Si3N4)存储电子或空穴实现闪存的擦写功能。衡量S0N0S的可靠性指标主要有两个一是耐久(Endurance)特性，就是衡量 S0N0S器...
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