技术编号:6930073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件的制造工艺方法,尤其涉及一种带有隧穿氧化层结构的双 层堆叠自对准栅存储器的制造方法。背景技术半导体器件中,带有隧穿氧化层结构的双层堆叠自对准栅存储器是一种比较常用 的存储器结构,其基本结构如图1所表示。其中带有隧穿氧化层的晶体管,可以在垂直方向 电压的作用下,将衬底沟道中的电子通过隧穿氧化层耦合到下层多晶硅中进行存储或将下 层多晶硅中存储的电子通过隧穿氧化层释放到衬底,分别可以对应存储的两种状态。而在 垂直方向电压低于工作电压的时候,隧...
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