技术编号:6930096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种半导体双镶嵌蚀刻制作过程,特别是关于利用一个约束等离子体反应室进行蚀刻的半导体双镶嵌蚀刻制作过程。双镶嵌制作过程是用于取代目前以铝-铜为金属线的制作过程,属于晶片制造的后段制作过程,即在形成硅底层的接触栓塞后使用,且依器件设计的金属导线层数,可能需重复进行多次。目前世界上各大半导体厂均投入大量人力及成本来开发双镶嵌制作过程,故其制作过程成果及其稳定度,将极大地影响各大半导体厂的竞争力。由于铜金属导线不易以气体等离子体(干式)的方式加以蚀刻,因...
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