技术编号：6930135
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件和功率集成，具体地说涉及一种用于功率器件或高压集成电路中，具有界面电荷岛的SOI耐压结构，它特 别涉及SOI (Semiconductor On Insulator)功率器件耐压。 背景技术SOI功率器件具有更高的工作速度和集成度、更好的绝缘性能、更强 的抗辐射能力以及无可控硅自锁效应，因此SOI功率器件在VLSI领域的 应用得到广泛关注。但SOI器件较低的击穿电压和自热效应限制了其应用。 SOI功率器件的击穿电压取决于横向击穿电压...
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