技术编号：6930148
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，为SOI材料上的功率集成电路提供衬底材料，特别是为功率器件提供衬底材料，属于半导体功率器件和功率集成，特别涉及SOI功率器件的材料制备。 背景技术SOI (Semiconductor On Insulator)技术因其具有高速、高集成度、低 功耗、便于隔离、强抗辐射能力以及无闩锁效应等优点而被广泛关注和应 用。SOI器件的击穿电压由横向击穿电压和纵向击穿电压的较小者决定。 SOI高压器件横向耐压的设计可沿...
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