技术编号:6930376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种沉积赫斯勒(Heusler)合金薄膜的方法,更具体地,涉及一种通过利用同时进行共溅射沉积构成赫斯勒合金薄膜的材料来形成具有改良性能的赫斯勒合金薄膜的方法。背景技术 磁随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器件,它是一种利用基于纳米磁体的特殊自旋相关电导现象的磁阻效应的固体磁存储器。此MRAM使用了巨磁阻现象或隧道磁阻现象,该巨磁阻现象因作为电子自由度的自旋对电子输运具有极大的影响而发生。巨磁阻涉及一种现象,在该现象中,在铁磁物质/金属非...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。