技术编号:6930742
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,它是一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管,本发明还涉及它的制备方法。垂直沟道场效应晶体管(vertical FET)技术是一种新的实现小尺寸MOSFET的方法。它的沟道长度是由硅台刻蚀、离子注入或者外延来决定的,而不象传统的平面MOSFET那样是通过光刻来定义的,因而无须借助于复杂的光刻手段就可以很容易的实现短沟道器件的制作,其工艺和平面MOSFET技术也完全兼容。垂直沟道器件被学术界和工业界认为是继平面MOSFET之后的最有潜力的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。