技术编号:6930874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种由单晶硅和钙钛矿锰氧化物构成的半导体异质结构、其制备方法 及半导体装置。背景技术钙钛矿锰氧化物由于其庞磁电阻(colossal electroresistance-CMR)效应成 为近年来国际上研究的热点。越来越多的事实表明钙钛矿锰氧化物的潜在优势在于用其 制备磁电子学器件。钙钛矿氧化物除了具有超常磁电阻效应,还表现出巨电场电阻、铁电、 介电、超导等丰富的物理特性,因此可期望用来获得具有多种新颖功能的实用器件。事实 上,在发现CMR效应后不久...
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