技术编号:6931002
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路加工制造,特别涉及一种。 背景技术图1示出了用于构造氧化硅-氮化硅(ON)间隙壁(spacer)的蚀刻过程,其蚀刻 对象是由单晶硅基底101和基底表面上的多晶硅结构102组成的晶片,蚀刻过程包括在所述晶片表面沉积一层氧化硅薄膜103 ;然后在氧化硅薄膜103上面再沉积一 层氮化硅薄膜104 ; 将所述晶片水平置于已抽真空的反应室内,向反应室通入反应气体并将反应气体 电离,对反应室加垂直方向的偏压,对所述晶片表面进行垂直方向的针对氮化硅薄膜...
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