技术编号：6931012
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的涉及异质结半导体器件，具体地说涉及提高了击穿电压的异质结双极型晶体管和使用它的半导体集成电路器件。附图说明图1是现有技术中的异质结双极型晶体管的能带示意图，其中具有低冲击电离系数的半导体层没有插入到集电极层区域中。这样的晶体管包括发射极层105、基极层106、集电极层113和副集电极104层。在没有电流流过集电极或集电极电流低时，在图1中的虚线B1和B2分别给出了集电极层113中的导带的底Ec和价带的顶Ev。在大集电极电流流过时，空间电荷增加，因...
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