技术编号：6931029
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及配有SOI构造的半导体基片的制造方法、由该方法制造出的半导体基片、采用了该半导体基片的电光学装置以及电子设备，详细说涉及半导体基片的SOI构造的形成技术。现有技术把被设置在绝缘体层上的硅层用于半导体器件的形成的SOI(Silicon on Insulator)技术由于具有耐α射线性、自锁耐性或短沟道抑制效果等在普通的单晶硅基片上所达不到的优良特性，因而推进了旨在半导体器件的高集成化的开发。最近面世的在100nm以下厚度的薄膜化SOI层上形成的装置...
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