技术编号：6931046
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方 法，属于电子材料领域。背景技术锆钛酸铅即PZT，其化学式为PbZr,JVx03，属于AB03型钙钛矿结构的二 元系固溶体(PbZr03和PbTi03的固溶体)。在每个钙钛矿元胞中，铅离子(Pb") 占据8个顶点的位置，氧离子(O2》占据6个面心，锆或钛离子(Zr4+/Ti4+) 位于八面体中心位置。锆和钛离子半径分别为0.072 (nm)和0.061 (nm)均小于 八面体的空位，所以在外加...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。