技术编号:6931077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS图像传感器,尤其涉及一种SOI CMOS图像传感器结构及其制作 方法。背景技术S01(silicon-on-insulator)指的是绝缘层上的硅,它是由"硅薄膜/绝缘层/硅衬 底"三层构成。最上面硅薄膜(简称硅膜)用来做CMOS等半导体器件,中间绝缘埋层 (通常为二氧化硅,简称埋氧层)用来隔离器件和硅衬底。SOI CMOS器件比体硅CMOS器件具有下列优点寄生电容小、漏电低、具有高速和低 功耗特点;消除了体硅CMOS常见的闭锁效应;...
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