技术编号:6931159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器及其制作方法,尤其涉及一种掺杂Zr02阻变存储 器及其制作方法,属于信息存储。背景技术阻变存储器(RRAM)技术是以薄膜材料的电阻可在高阻态和低阻态之间 实现可逆转换为基本工作原理的。早在20世纪60年代就已经开始了电阻转 变特性的研究,但由于材料技术和器件制造技术的限制未能引起关注。近年 来随着材料制备技术和器件制造技术的飞速发展,阻变存储器与目前市场上 主流的Flash存储器器件相比,具有密度高、功^/f氐、耐久力好、保持时间 长、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。