技术编号:6931226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及动态随机存储器(DRAM),尤其涉及一种源漏能带工程无电容式DRAM, 属于超大规模集成电路中的半导体存储器。背景技术半导体存储器是半导体产业的重要组成部分,动态随机存储器(DRAM)是最重要的 存储器之一,被认为是半导体技术节点的推动和领航者。传统的DRAM基于一个晶体管 和一个电容的结构(1T/1C),晶体管控制信息的读取和写操作,电容储存电荷信息。不 断降低单元成本,提高动态随机存储器的密度和容量,是DRAM取得商业成功的关键。 但是在DR...
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