技术编号:6931265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非挥发性(Nonvolatile memory)阻变存储器(RRAM Resistive Random Access Memory)及制造方法,属于柔性电子学,聚合物和CMOS混合集成电路。背景技术21世纪是信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的发展 对存储技术提出了更高的要求,并迫切需要在存储器材料和技术方面取得突破。研究和开 发更高存储密度、更低功耗、更快响应速度及可反复读写的存储器己经成为电子领域的热 点。目前应...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。