技术编号：6931302
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其是一种金属内连线结构，在具有大量金属导孔的区域内导入介层柱的铜双镶嵌内连线结构。请参阅附图说明图1及图2，图1显示习知铜金属内连线部份上视图，图2为图1沿着切线A-A′的剖面示意图。如图1及图2所示，下层金属导线10与上层金属导线12的线宽皆约为5微米(μm)，并上下重叠形成一5μm×5μm的重叠区域50。重叠区域50又可称为金属导孔区。在下层金属导线10与上层金属导线12之中分别形成有复数个介层柱10a及12a。重叠区域50中则于下...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。