技术编号：6931347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提高器件退火成功率的方法，尤其涉及，属于半导体器件。背景技术GaN HEMT在制成初期其性能往往不稳定，主要表现为肖特基器件反向漏 电大。如果要获得性能稳定的器件，就需要减小器件的反向漏电，可以通过 栅后退火的工艺使器件的反向漏电减少。但是，在通过栅后退火工艺使器件 的反向漏电减少的同时，却不可避免地会造成器件直流功率下降，不能满足 其面向大功率器件的要求，这样器件的退火成功率就比较低，退火后退化器 件的数量增加。发明内容本发明针对传统操作方...
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