技术编号:6931423
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳电子器件领域,尤其涉及一种以半导体纳米材料特别是碳纳米管 为基的纳电子器件,以及实现半导体纳米材料与金属电极之间高性能n型接触的方法。背景技术纳电子器件的研究是当今纳米科学技术中最为重要的领域。 一维或者准一维半 导体纳米材料具有独特的电学特性和光学特性,尤其是以碳纳米管为代表的半导体纳米 材料以其独特的电学性能被认为是最有希望的纳电子器件的构建材料之一。迄今为止, 用半导体纳米材料如碳纳米管构建的各种纳电子器件如场效应晶体管(FET)、 二极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。