技术编号:6931636
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体封装及功率模块领域,具体地说是一种新型 带I、 j极电阻布局的功率MOSFET模块。背景技术功率MOSFET (即功率金属-氧化物-硅场效应晶体管)模块主要 包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET芯片和功率端子。 在对该模块中的直接敷铜基板(DBC)进行设计时,要考虑热设计、 结构应力设计、EMC设计和电路结构设计,此还同时要考虑设计产 品的生产成本。现有的功率MOSFET模块(功率金属-氧化物-硅场效 应晶休管模块)设计中存在...
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