技术编号:6931661
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种去除护垫蚀刻程序(pad etching process)后氟化铝缺陷(ALF defect)的方法,且特别涉及一种利用清洗化学品(rinse chemicals)以去除护垫蚀刻程序后异常氟化所产生缺陷的方法。由于半导体元件的芯片(wafer)是存放于晶舟(pod)内,每一晶舟约可储放25片芯片。放在一起的芯片,其自光致抗蚀剂表面扩散出来的氟离子会使整个晶舟内充满高浓度的氟离子。因此,部分氟离子会与裸露的铝层反应,而在铝层的表面形成氟化铝的化...
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