技术编号：6931678
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关一种半导体组件的制造方法，特别是有关于一种利用形成反梯形形状的栅极结构，形成轻掺杂漏极(lightly doped drain，LDD)的方法，以准确控制信道长度。背景技术当半导体组件尺寸缩小的情况下，信道长度亦相对缩小，此时便会发生短信道效应的问题，已知解决短信道效应所造成的热电子效应的方法如图1A所示，在基底10上形成栅氧化层12与多晶硅栅极14的栅极堆栈结构，以该多晶硅栅极14为屏蔽，进行浅离子掺杂制程，以形成浅离子掺杂区16。接着请参阅...
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