一种部分耗尽的绝缘层上硅mos晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:6932202

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本发明涉及半导体集成电路及其制造,尤其涉及一种SOI MOS晶体管的制作方法。背景技术集成电路尤其是超大规模集成电路,其主要器件是MOS晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属—氧化物—半导体场效应 晶体管,简称MOSFET)。 MOS晶体管自发明以来,其在性能和功能上取 得了突飞猛进,而这进步的取得很大程度上是通过不断缩小器件的尺寸和 增大芯片面积来实现的。器件尺寸的缩小,使得电路性...
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