技术编号:6932202
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路及其制造,尤其涉及一种SOI MOS晶体管的制作方法。背景技术集成电路尤其是超大规模集成电路,其主要器件是MOS晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属—氧化物—半导体场效应 晶体管,简称MOSFET)。 MOS晶体管自发明以来,其在性能和功能上取 得了突飞猛进,而这进步的取得很大程度上是通过不断缩小器件的尺寸和 增大芯片面积来实现的。器件尺寸的缩小,使得电路性...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。