技术编号：6932431
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管芯片及其制造方法。 背景技术采用衬底剥离的方法制备GaN基垂直结构发光二极管是目前最常用的方法。这种方法需要将一块基板 与外延片键合在一起，然后去除外延生长所用的衬底。在键合面上经常会出现缝隙、气泡等缺陷，再加上 GaN外延层本身又薄又脆，因此对后续的芯片制造，包括划片、分选、翻膜、封装等工序带来很多困难， 经常出现芯片裂或者碎的情况，严重影响芯片制造的良品率。而且由于GaN本身的材料特性，即使不采用 剥离技术制备的芯片也在分选、封...
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