技术编号:6932446
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件的制造。更具体而言,本发明涉及一种基于铟镓铝氮 (InGaAlN)薄膜发光器件的制造方法,铟镓铝氮薄膜最初在硅(Si)衬底上生长且随后被转 移至新衬底上。背景技术铟镓铝氮(InGaAlN,或InxGayAlh_yN,0≤χ≤1,0≤y≤1)半导体发光器件,特 别是发光二极管(LED),已经被广泛地应用于诸如全彩大屏幕显示,交通灯,显示背光源和 照明等多种应用中。一般来说,InGaAlN材料在蓝宝石衬底上外延生长且一般被制成横向电极结...
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