技术编号:6932601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,特别是涉及具有半导体芯片和树脂密封部 的半导体装置。背景技术作为逆变器(inverter)用途的半导体装置,有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)和续流二极管(Free Wheel Diode) 等的通过模塑树脂和绝缘片将多个半导体元件密封的功率模块。例如在 日本专利申请公开2006-319084号公报中公开了 一种这样的功率模块。此外,作为被树脂密封的半导体装置的小型化技术...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。