技术编号:6932713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法,特别是涉及一种。背景技术在现在的高压器件中都会有一个浓度很淡的阱,这样在沟道表面的浓度也会很淡。如果在工艺制程中产生大量电荷的话,会导致高压器件表面产生很多可移动的电子,从而导致器件漏电过大,严重的会使器件失效。产生电荷的原因与VUV (真空极紫外线)效应有关。这种VUV通常会存在在一些HDP, DRY...(高密度等离子体化学汽相沉积和干法刻蚀设备)的设备中。按照E4c/A可以得到不同波长的光子的能量,这种VU...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。