技术编号：6932740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料，具体涉及一种掺氧n-vi族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池。 背景技术传统半导体的能带结构和原理如图1所示，其中Efe是半导体材电子费米能级， Efv是半导体空穴费米能级。当一个具有能量为hvl的光子被半导体材料吸收时，其产生的 光伏电能输出为eVout。其中光子hvl的能量需要与半导体材料的带宽相当时，才会有比较 高效的光伏转换效率。也就是说，对于一种用作光电转换的半导体材料，其对太阳光谱的吸 收会集中在某个波长，所以其最终光电...
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