技术编号:6932882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及掩膜只读存储器制造方法,更详细说就是涉及有。背景技术 掩膜只读存储器作为非易失性元件的一种在制造工序中利用掩膜工序记录必要的信息。用于记录信息的掩膜工序可以在元件隔离工序或金属配线工序中完成,一般在对存储单元的通道区域离子注入工序完成。当完成对所述通道区域离子注入,被离子注入的单元和未被离子注入的单元间产生门限电压差,通过该门限电压差判别记录的数据。而大部分的只读存储器,特别是所述的掩膜只读存储器具有为了提高动作速度而通过流过大的单元电流的扁平单...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。