技术编号：6932937
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件及其制造方法，特别是能够改善击穿(Punch-through)现象和增加晶体管本体体积的半导体器件及其制造方法。背景技术近来，半导体产业向提升半导体器件集成度以及提高制造产量的方向发 展。其一实例提出具有浮起体单元(FBC, Floating body cell)结构(以下简 写为FBC结构)的半导体器件。上述具有FBC结构的半导体器件不需要信 息储存用电容器，故与具有电容器的一般动态随机存取存储器(DRAM)器 件相比时，具有应...
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